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| 规格书 |
 NTB,NTP65N02R |
| 文档 |
Multiple Devices 01/Jul/2009 |
| 产品更改通知 | Product Obsolescence 01/Jul/2009 |
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 25V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 7.6A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 10.5 mOhm @ 20A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 9.5nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1330pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 1.04W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 包装材料 | Tube;;其他的名称； |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Rail |
| 最大漏源电阻 | 10.5@10V |
| 最大漏源电压 | 25 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-220AB |
| 最大功率耗散 | 62500 |
| 最大连续漏极电流 | 65 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 7.6A (Ta), 58A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 其他名称 | NTP65N02RGOS |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 10.5 mOhm @ 20A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.04W |
| 标准包装 | 50 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 25V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1330pF @ 20V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 9.5nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 65 A |
| 正向跨导 - 闵 | 27 S |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 8.4 mOhms |
| 功率耗散 | 62.5 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 上升时间 | 53 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 24 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 10 ns |
| 漏源极电压 (Vdss) | 25V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1330pF @ 20V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 10.5 mOhm @ 20A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 9.5nC @ 4.5V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 功率 - 最大值 | 1.04W |
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